Viime vuonna 14 ja 16 nanometrin FinFET-tekniikalla valmistetut älypuhelinpiirit olivat high-end-puhelimien yksinoikeus, mutta Snapdragon 625:n myötä uudet valmistusprosessit löytävät tiensä keskihintaisiin puhelimiin tänä vuonna. Snapdragon 625 on valmistettu 14 nanometrin tekniikalla, minkä luvataan leikkaavan piirin tehonkulutusta 35 prosentilla aiemman sukupolven piireihin verrattuna. Piiri tukee 4K-videoiden kuvausta ja katselua (H.264 ja HEVC) sekä kuvien ottamista korkeintaan 24 megapikselin kennolla. Suoritinytimiä (Cortex-A53) Snapdragon 625:ssä on kahdeksan kappaletta.
Sama määrä samoja ytimiä löytyy myös Snapdragon 435:stä, mutta niiden kellotaajuus on pudotettu kahdesta gigahertsistä 1,8 gigahertsiin. Grafiikkaohjain on myös vaihtunut hitaampaan malliin ja videokuvaus onnistuu maksimissaan Full HD -tarkkuudella. Snapdragon 425:ssä ytimien määrä on puolitettu ja näytön maksimiresoluutio (60 FPS:n kuvataajuudella) rajoittuu 1280x800 pikseliin.
Kommentoi artikkelia