Uutta sivustolla

Tervetuloa takaisin!Edellisen käyntisi jälkeen Puhelinvertailuun on tullut .

Katso tapahtumat viime käyntisi jälkeen.

Samsung esitteli vähävirtaisemman ja nopeamman muistin älypuhelimiin

Manu Pitkänen

Samsung esitteli vähävirtaisemman ja nopeamman muistin älypuhelimiin
Samsung kertoi tällä viikolla aloittaneensa UFS 2.0 -standardin mukaisten muistipiirien massatuotannon. Muistipiirit on suunnattu seuraavan sukupolven high-end-älypuhelimiin. Jää nähtäväksi ehtivätkö uudet muistipiirit huomenna esiteltävän Galaxy S6:een. Valmistettavien muistipiirien tallennuskapasiteetit ovat 32, 64 ja 128 gigatavua.

UFS 2.0 -standardin ansiosta Samsungin tallennusmuistit ovat selvästi nopeampi kuin nykyisissä älypuhelimissa käytettävät eMMC-muistit. Samsung lupaa muistinsa pystyvän suorittamaan 19 000 satunnaislukutehtävää sekunnissa (IOPS), kun eMMC-muistit pystyvät 11 000 suoritteeseen. Satunnaiskirjoitusoperaatioihinkin yhtiö lupaa 50 prosentin parannusta.
Kuten AnandTech huomauttaa, tukevat UFS-muistit kaksisuuntaista tiedonsiirtoa (full duplex). Luku- ja kirjoitusoperaatioita voidaan suorittaa samanaikaisesti, kun taas eMMC-muisteissa operaatiot täytyy suorittaa eri aikaan (half duplex).

Älypuhelimien kannalta ehkä kaikkein kiinnostavin piirre UFS-muisteissa on niiden vähävirtaisuus. Samsungin mukaan heidän muistinsa kuluttavat jopa 50 prosenttia vähemmän energiaa. Muisteja aiotaan tarjota laitevalmistajille myös ePoP-pakkauksissa, joissa tallennusmuisti on sijoitettu samalle piirille keskusmuistin kanssa. Ratkaisun pitäisi säästää tärkeää komponenttipinta-alaa puhelimissa.

Kommentoi artikkelia

Pysy aiheessa ja kirjoita asiallisesti. Epäasialliset viestit voidaan poistaa tai niitä voidaan muokata toimituksen harkinnan mukaan.

Haluan ilmoituksen sähköpostitse, kun ketjuun kirjoitetaan uusi viesti.

Keskustelut

Lisää keskusteluja