Manu Pitkänen
21. helmikuuta, 2011 9:18
Samsung ilmoitti kehittäneensä uudentyyppisen mobiilimuistin, joissa on aiempaa selvästi leveämpi muistikaista. Kaistanleveuden laajentamisen lisäksi Samsung on onnistunut madaltamaan muistipiirien virrankulutusta reippaasti.
Samsungin kehittämä muisti on tyypiltään LPDDR2 (Low Power DDR2). Yhtiön omien sanojen mukaan muisti takaa kahdeksankertaisen muistikaistan DDR-muistiin nähden ja nelinkertaisen kaistaleveyden tavanomaiseen LPDDR2-muistiin verrattuna. Samsungin muistit siis kykenevät siirtämään jopa 12,8 gigatavua sekunnissa. Tähän Samsung pääsi 16-kertaistamalla muistipiirien pinnien lukumäärän 512:een.
Mobiililaitteiden Akilleen kantapää tällä hetkellä on huono akunkesto, johon Samsung on osaltaan tuonut parannusta. Muistipiirien virrankulutus on yhtiön mukaan 87 prosenttia alhaisempi nykyisin käytössä oleviin muisteihin verrattuna.
Samsung ei kertonut milloin uudet muistit saapuvat markkinoille tai onko yhtiö jo saanut jotakin huomattavaa asiakaista itselleen. Ensimmäisenä Samsung kuitenkin puskee markkinoille 50 nanometrin prosessilla valmistetut 128 megatavun piirit ja vuonna 2013 on luvassa jo 512 megatavun muistit. Samsungin ei ole tarkoitus pysytellä nykyisessä tekniikassa, vaan sen pitkän aikavälin suunnitelmiin kuuluu prosessin päivittäminen 20 nanometriin.