Manu Pitkänen
19. marraskuuta, 2014 16:51
Suomessa 4G-liittymille luvatut maksiminopeudet ovat pääasiassa 50 tai 100 megabittiä sekunnissa ja operaattorit ovat vasta ottamassa ensimmäisiä askeleita 300 megan LTE-verkkojen testauksessa. Älypuhelimissa käytettävien modeemipiirien johtava kehittäjä Qualcomm on kuitenkin jo ottanut askeleen edemmäs esittelemällä 450 Mbps:n latausnopeuksiin yltävän piirin.
Qualcommin Gobi 9x45 -modeemi on maailman ensimmäinen julkistettu LTE Category 10 -tekniikkaa tukeva piiri. Sillä voidaan parhaimmillaan ladata tiedostoja matkaviestinverkosta eri taajuuskaistoja yhdistelemällä 450 Mbps:n nopeudella. Tiedostojen lataaminen puhelimesta verkkoon onnistuu parhaimmillaan 100 Mbps:n nopeudella. Modeemi on valmistettu 20 nanometrin tekniikalla.
Samalla Qualcomm esitteli toisen sukupolven verhokäyräjäljittimen, QFE3100:n. Piirin tehtävänä on tarkkailla paljonko tehoa matkaviestinverkon signaalin vahvistamiseen todellisuudessa tarvitaan ja määrittää tehonkulutus sen mukaiseksi. Ennen verhokäyräjäljitystä signaalivahvistukseen on käytetty varsin karkeita menetelmiä, minkä vuoksi puhelin saattaa lämmetä ja akku kulua nopeasti tyhjäksi 3G-verkossa.
QFE3100:n avulla älypuhelimet lämpenevät aiempaa vähemmän ja kuluttavat vähemmän tehoa, joten puhelimista voidaan tehdä aiempaa ohuempia. Täsmällisiä tehonkulutuslupauksia Qualcomm ei lehdistötiedotteessaan antanut.
Sekä Gobi 9x45 että QFE3100 ovat Qualcommin asiakkaiden testattavana ja niiden kaupalliset toimitukset alkavat ensi vuonna.