Manu Pitkänen
12. joulukuuta, 2014 16:07
Korealainen ET Newsin haastattelemien sisäpiirilähteiden mukaan Samsung on aloittanut Applen ensi vuoden mobiililaitteissa käytettävien A9-järjestelmäpiirien alkuvaiheen tuotannon. Julkaisun mukaan piirit valmistettaisiin Samsungin Austinin laitoksella 14 nanometrin FinFET-tekniikalla.
Samsungin mukaan sen 14 nanometrin FinFET-tekniikka mahdollistaa 20 prosenttia suorituskykyisempien tai 35 prosenttia vähemmän energiaa kuluttavien piirien valmistuksen kuin 20 nanometrin valmistustekniikka. Lisäksi tekniikan avulla voidaan tehdä piireistä 15 prosenttia pienempiä. Kilpaileva TSMC lupaa sen 16 nanometrin FinFET+-tekniikalla tuotettujen piirien olevan parhaimmillaan 40 prosenttia suorituskykyisempiä tai 60 prosenttia vähävirtaisempia kuin mihin 20 nanometrin tekniikalla päästään, mutta ei lupaa parannuksia pinta-alaan.
Applen iPhone 6 -puhelimissa ja iPad Air 2:ssa käytettävät järjestelmäpiirit on valmistettu TSMC:n 20 nanometrin tekniikalla. Ennen sitä Applen piirit valmistettiin Samsungilla.
Applen A9-piirien uutisointiin tuntuisi liittyvän informaatiosodan elementtejä, sillä vuoroviikoin korealaiset ja taiwanilaiset/kiinalaiset lähteet kertovat A9-tilausten menneen Samsungille ja TSMC:lle. Yleensä korealaiset lähteet ovat väittäneet Samsungin saaneen tilaukset, kun taas taiwanilaiset julkaisut väittävät TMSC:n napanneen tilaukset. ET Newsin raportointi tuntuisi olevan osa tätä aasialaisten medioiden välistä taistelua.
Muutamia A9-uutisia tältä syksyltä: