Samsung esitteli vähävirtaisemman ja nopeamman muistin älypuhelimiin

Manu Pitkänen
28. helmikuuta, 2015 13:06

Samsung kertoi tällä viikolla aloittaneensa UFS 2.0 -standardin mukaisten muistipiirien massatuotannon. Muistipiirit on suunnattu seuraavan sukupolven high-end-älypuhelimiin. Jää nähtäväksi ehtivätkö uudet muistipiirit huomenna esiteltävän Galaxy S6:een. Valmistettavien muistipiirien tallennuskapasiteetit ovat 32, 64 ja 128 gigatavua.
UFS 2.0 -standardin ansiosta Samsungin tallennusmuistit ovat selvästi nopeampi kuin nykyisissä älypuhelimissa käytettävät eMMC-muistit. Samsung lupaa muistinsa pystyvän suorittamaan 19 000 satunnaislukutehtävää sekunnissa (IOPS), kun eMMC-muistit pystyvät 11 000 suoritteeseen. Satunnaiskirjoitusoperaatioihinkin yhtiö lupaa 50 prosentin parannusta.
Kuten AnandTech huomauttaa, tukevat UFS-muistit kaksisuuntaista tiedonsiirtoa (full duplex). Luku- ja kirjoitusoperaatioita voidaan suorittaa samanaikaisesti, kun taas eMMC-muisteissa operaatiot täytyy suorittaa eri aikaan (half duplex).
Älypuhelimien kannalta ehkä kaikkein kiinnostavin piirre UFS-muisteissa on niiden vähävirtaisuus. Samsungin mukaan heidän muistinsa kuluttavat jopa 50 prosenttia vähemmän energiaa. Muisteja aiotaan tarjota laitevalmistajille myös ePoP-pakkauksissa, joissa tallennusmuisti on sijoitettu samalle piirille keskusmuistin kanssa. Ratkaisun pitäisi säästää tärkeää komponenttipinta-alaa puhelimissa.

Lue myös nämä
Tägit
muisti Samsung Flash-muisti eMMC UFS Samsung Galaxy S6
Käytämme evästeitä sivuillamme. Näin parannamme palveluamme.