Matti Robinson
28. lokakuuta, 2015 19:15
Qualcomm on taistellut viimeisen vuoden ajan Snapdragon-järjestelmäpiirin lippulaivan ylikuumenemista vastaan. Pitkälti yhtiö selätti ylikuumenemisongelmat ilmesesti alkuaikojen ongelmien jälkeen, mutta täysin luottamus ei varmasti ole palautunut. Nyt ongelmat uhkaavat laajentua myös uuteen huippupiiriin, kertovat huhut.
Huhujen mukaan Snapdragon 820 -järjestelmäpiirin tuotannossa on ilmennyt ylikuumenemiseen johtavia ongelmia. Piiriä valmistanut Samsung hakee parhaillaan ratkaisuja, ja luonnollisesti ratkaisujen etsiminen on tärkeää myös korealaisyhtiölle, joka aikoo luottaa piiriin seuraavassa lippulaivamallissaan – puhumattakaan piirituotannon luotettavuudesta.
14 nanometrin FinFET-tekniikalla valmistetun piirin lämpöongelmiin haetaan parhaillaan erilaisia ratkaisuja niin ohjelmallisesti kuin jopa lämpöputkilla. Jos ja kun piiri saadaan toimimaan normaaleissa lämpötilavaihteluissa, niin se on väitetysti huomattavasti (jopa 40%) energiatehokkaampi ja suorituskykyisempi kuin nykyinen Snapdragon 810.
Liian synkäksi ei kannata vielä kuitenkaan vetäytyä, sillä piiri on yhä kehitysvaiheessa. Ensimmäisiä laitteita odotetaan kuitenkin markkinoille jo tammikuussa, joten mikäli ongelmat ovat todella aitoja, niin kiirettä ratkaisun etsimisessä pian pitää.