Ensi vuoden Snapdragon tuplaa huippupuhelinten muistin?

Matti Robinson
1. joulukuuta, 2015 19:49

Snapdragon 820 tulee olemaan seuraavan huippupuhelinsukupolven yksi tärkeimmistä piireistä, mutta jo nyt katseet on suunnattu vasta mahdollisesti 2017 markkinoille saapuvaan Snapdragon 830 -piirin, joka saattaa tuoda merkittäviä parannuksia muun muassa RAM-muistin osalta.
GSMArena kertoo kiinalaislähteistä, joiden mukaan ensi vuoden aikana todennäköisesti esiteltävä Snapdragon 830 tukisi nykyisiin huippupuhelimiin verrattuna peräti kaksi kertaa suurempaa RAM-muistin määrää. Galaxy S8:n kaltaisista puhelimista voisi siis löyty peräti 8 gigatavua RAM-muistia, joka kasvattaisi laitteiden potentiaalia jälleen merkittävästi.
Kahdeksan gigatavun käyttömuisti tarkoittaisi moniajon parantumista entisestään ja voisi tarjota yhä enemmän PC:n kaltaisia ominaisuuksia, jotka ovat jo osaltaan löytäneet tietään mobiililaitteisiin. Myös raskaat ohjelmistot, kuten Photoshop, voisivat toimia entistä monipuolisemmin ja tehokkaammin.
Tämä on tietysti vielä puhdasta spekulointia eikä mitään varmaa tässä vaiheessa voida vielä sanoa. Toistaiseksi odottelemme vielä ensimmäisiä laitteita, joissa käytetään Snapdragon 820 -piiriä. Todennäköisesti ensimmäiset sellaiset laitteet esitellään alkuvuodesta. Kenties vuosi siitä eteenpäin ja näemme ensimmäisen älypuhelimen 8 gigatavun RAM-muistilla.

Lue myös nämä
Tägit
muisti Qualcomm RAM Qualcomm Snapdragon 820 Qualcomm Snapdragon 830
Käytämme evästeitä sivuillamme. Näin parannamme palveluamme.