Matti Robinson
14. huhtikuuta, 2016 21:18
Älypuheliten kuumenemisen on huomattu olevan merkittävä ongelma erityisesti metallisten älypuhelinten saavuttua. Piirit on tiedetty tuottavan merkittäviä määriä lämpöä, mutta erityisen ongelmalliseksi lämpö muodostui ensimmäistä kertaa viime sukupolven Snapdragon -järjestelmäpiirin osalta.
2014 esitelty Snapdragon 810 kärsi erityisesti alkuaikoina lämpöongelmista, mutta miten uusimmat nykypiirit pärjäävät lämpötestissä? Ruotsalaissivusto Nordic Hardware on testannut niin Snapdragon 810:n sisältävän Nexus 6P:n kuin LG G5:n (kuvassa) ja sen Snapdragon 820 -piirin sekä Samsungin Galaxy S7:ssä olevan Exynos 8890 -piirin lämmöntuottoa sekä siihen liittyvää suorituskyvyn tipahtamista.
Mitä enemmän laitteessa ajetaan raskaita testiohjelmia sitä kuumemmaksi laite tulee, joka tarkoittaa myös tehonlaskua. Niin kutsuttu Throttling-ilmiö on siis selvä kaikissa kolmessa laitteessa.
Vanhemman Snapdragon 810:n suorituskyky laskee 30 prosentista jopa 50 prosenttiin riippuen testistä. LG G5:n uusi Snapdragon 820 pärjää heikoiten 3D Mark -testissä (-40%), mutta parhaiten GeekBenchin testissä (-10-20%). Galaxy S7 on puolestaan tasaisin suorittaja 30% (3D Mark) ja 15-30% (GeekBench) laskulukemilla.
Nordic Hardwaren mukaan Snapdragon 820:ssa lämpöä tuottaa erityisesti grafiikkapiiri Adreno 530.
Lisää testistä voit lukea (ruotsiksi) vertailukaavioineen täältä.