Samsungin sijoittaa yli 10 miljardia 400 jalkapallokentän kokoiseen puolijohdekompleksiin

Matti Robinson
9. toukokuuta, 2015 18:56

Samsung on rakentamassa Yhdysvaltoihin uutta puolijohdetehdasta, jonka kerrotaan olevan massiivisuudessaan omaa luokkaa. 15,6 biljoonan Korean wonin eli n. 12,8 miljardin euron tehdaskompleksi on liki yhtä suuri kuin kaksi korealaisjätin nykyisin suurinta tehdasta.
The Vergen mukaan uusi tehdas rakennetaan alueelle, joka on peräti neljän sadan jalkapallokentän kokoinen. Rakennus alkaa vuonna 2017, joten piirejä sieltä ei todennäköisesti saada vielä Galaxy S7:äänkään.
Samsung luottaa analyytikkojen mukaan pitkällä aikajänteellä erityisesti piirivalmistukseen, sillä siinä sillä on selvä etu toisin kuin varsinaisilla matkapuhelinmarkkinoilla. Kuka tahansa voi ostaa piirit ja kasata niistä puhelimen, mutta vain huimat investoinnit – kuten tämänkertainen liki 13 miljardia – mahdollistavat piirivalmistuksessa piikkipaikan.
Samsung taistelee Taiwanilaista TMSC:tä vastaan uusissa piireissä, joissa käytetään FinFET-transistoreita. Tietojen mukaan Samsungin 14 nanometrin tekniikka löytäisi tiensä jatkossa Qualcommin järjestelmäpiirehin TMSC:n sijaan. Samoin huhut kertovat, että Apple luottaisi jatkossa myös Samsungin piiritekniikkaan.

Lue myös nämä
Tägit
Samsung puolijohde Samsung Exynos järjestelmäpiirit piirituotanto
Käytämme evästeitä sivuillamme. Näin parannamme palveluamme.