Qualcomm julkisti Snapdragon 820:n jo MWC-messuilla maaliskuun alussa, paljastaen siinä käytettävän yhtiön omia 64-bittisiä Kryo-suoritinytimiä (nykyisissä piireissä käytetään ARM:n Cortex-ytimiä). Snapdragon 820:n kerrottiin käyttävän myös FinFET-transistoreita, mutta niiden tuotantotekniikka jätettiin avoimeksi. Näin ollen niiden valmistaja voi olla joko Samsung (yhteistyössä Globalfoundriesin kanssa) tai TSMC.
Snapdragonit on valmistettu tähän saakka TSMC:llä, mutta Re/coden sisäpiirilähteiden mukaan Snapdragon 820 aiottaisiin valmistaa Samsungin 14 nanometrin tekniikalla. Samaa tekniikkaa käytetään jo nyt Galaxy S6:ssa käytettävässä Exynos 7420 -piirissä.
Samsungin on nähty olevan TSMC:tä hieman edellä ensimmäisen sukupolven FinFET-tekniikassa, mikä tietysti puoltaisi siirtymistä Samsungin tekniikkaan. TSMC on tosin aloittamassa tuotannon omalla 16 nanometrin FinFET-tekniikalla jo tulevana kesänä. Bloombergin tietojen mukaan Applekin valmistaisi A9-piirinsä Samsungilla, joten ainakin piiritilauksia korealaiselle tuntuu riittävän: MediaTekia lukuun ottamatta seuraavat high-end-piirit valmistetaan Samsungin tekniikalla.
Kommentoi artikkelia