Snapdragon 820:stä on tihkunut tipoittain tietoja, mutta nyt piiri on esitelty kokonaisuudessaan isolle yleisölle. Järjestelmäpiiriin tulee kaksi 2,2 GHz:n taajuudella tikittävää Kryo-ydintä sekä kaksi alemmalla 1,6–1,7 GHz:n taajuudella tikittävää Kryo-ydintä. Kaikki neljä ydintä valmistetaan 14 nanometrin FinFET-tekniikalla. Ytimien parina on Adreno 530 -grafiikkapiiri, joka on Qualcommin omien sanojen mukaan 40 prosenttiasuorituskykyisempi kuin Snapdragon 810:ssä nähty Adreno 430.
Qualcommin mittauksissa Snapdragon 820 kuluttaa 30 prosenttia vähemmän tehoa kuin Snapdragon 810, 805 ja 801.
Kuvasignaaliprosessoreita Snapdragon 820:een tulee kaksi (Spectra) ja modeemi päivittyy Cat 12/13 -tasoiseen X12:een (max. 600 Mbps:n latausnopeus ja 150 Mbps:n lähetysnopeus).
Kommentoi artikkelia