Snapdragon 8+ Gen 1 -piirin kohdalla luotetaan TSMC:n 4 nanometrin prosessiin, kun Snapdragon 8 Gen 1 -piiri perustuu Samsungin tuotantoprosessiin. Tämä muutos voi olla merkittävä tekijä, sillä Qualcomm lupaa uuden piirin tarjoavan selvää parannusta akunkestoon, mutta nostaa myös tehoja ylöspäin.
Qualcomm kertoo, että Adreno-grafiikkapiirin osalta virrankulutus on laskenut 30 prosenttia, mutta suorituskyky on noussut 10 prosentilla. Esimerkiksi pelaamisen kohdalla tarjotaan jopa 60 minuuttia lisäaikaa.
Itse prosessorin osalta suorituskyky on kasvanut 10 prosentilla, sillä Cortex-X2-ydin toimii nyt jopa 3.2 gigahertsin kellotaajuudella, mutta kuluttaa 30 prosenttia vähemmän virtaa. Snapdragon 8 Gen 1 -piirin kohdalla kellotaajuus on 3.0 gigahertsiä.
Kokonaisuutena uusi piiri kuluttaa 15 prosenttia vähemmän virtaa.
Snapdragon 8 Gen 1 -piiri suurin ongelma on korkea lämmöntuotto. Esimerkiksi Xiaomi 12 kohdalla totesimme laitteen kestävän heikosti rasitusta, sillä ylikuumenemisen takia kaikki sovellukset sammuvat. On siis mielenkiintoista nähdä, pysyykö Snapdragon 8+ Gen 1 -piirin omaavien laitteiden lämpötilat kurissa.
Ensimmäiset laitteet tulevat saataville heinäkuun jälkeen. Piiriä tulevat käyttämään muun muassa Xiaomi, Asus ROG, HONOR, Motorola ja OnePlus.
Samalla Qualcomm julkaisi keskitason laitteisiin Snapdragon 7 Gen 1 -piirin, joka valmistetaan 4 nanometrin tuotannolla.
Qualcomm vertaa piiriä viime vuoden Snapdragon 778G -piiriin. Uusi Snapdragon 7 Gen 1 tarjoaa 20 prosenttia parempaa suorituskykyä grafiikoiden osalta.
Piiri tukee QHD+ -näyttöjä 60 hertsin virkistystaajuudella tai Full HD+ näyttöjä 144 hertsin virkistystaajuudella. Kameran osalta tuetaan jopa 200 megapikselin kuvia.
Kommentoi artikkelia